图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IPW60R075CP |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品培训模块 | |
| 标准包装 | 240 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 650V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 39A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 75 mOhm @ 26A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.5V @ 1.7mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 116nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4000pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 313W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-247 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 最大连续漏极电流 | 39 A |
| RDS -于 | 75@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 40 ns |
| 典型上升时间 | 17 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 典型下降时间 | 7 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| P（ TOT ） | 313W |
| 匹配代码 | IPW60R075CP |
| R（ THJC ） | 0.4K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 30 |
| 标准的提前期 | 10 weeks |
| 最小起订量 | 240 |
| Q（克） | 87nC |
| LLRDS （上） | n.s.Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | n.s.V |
| 我（D ） | 39A |
| V（ DS ） | 600V |
| 技术 | CoolMOS CP |
| 的RDS（on ） at10V | 0.075Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 39A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 1.7mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 供应商设备封装 | PG-TO247-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 75 mOhm @ 26A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 313W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4000pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 116nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 外形尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| 身高 | 21.1mm |
| 长度 | 16.13mm |
| 最大漏源电阻 | 0.075 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 313 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | PG-TO-247-3 |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 87 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 4000 pF V @ 100 |
| 宽度 | 5.21mm |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 39 A |
| 封装/外壳 | TO-247 |
| 零件号别名 | IPW60R075CPFKSA1 SP000358192 |
| 下降时间 | 7 ns |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商品名 | CoolMOS |
| 配置 | Single |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IPW60R075 |
| RDS（ON） | 75 mOhms |
| 功率耗散 | 313 W |
| 上升时间 | 17 ns |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| Continuous Drain Current Id | :39A |
| Drain Source Voltage Vds | :650V |
| On Resistance Rds(on) | :75mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :313W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-247 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 3 - 168 hours |
| Current Id Max | :39A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :Through Hole |
| 晶体管类型 | :Power MOSFET |
| Voltage Vds Typ | :650V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.00542 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | EYGA121807A EYGA091203SM |
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